DDR6已經在開發中,速度是DDR4的四倍(圖文)
DDR5 幾乎沒有上架,但三星已經確認它已經在開發下一代 RAM。據報道,這家韓國科技巨頭在其 2021 年技術日活動中深入了解了幾種下一代內存標準,包括 DDR6、GDDR6+、GDDR7 和 HBM3。
三星表示,其 DDR6 標準的開發已經開始,并將得到 JEDEC 的協助,JEDEC 是一個由 300 多名成員組成的半導體工程組織,其中包括一些世界上最大的計算機公司。
該報告提到該標準的完成可能會在 2024 年實現,但考慮到 DDR5 剛剛推出(并且已經受到供應問題的影響),第 6 代 DDR 內存更有可能在 2025 年或 2026 年到貨。
在 DDR6 內存的技術規格方面,數據傳輸速率將比其前身翻倍。因此,除了在超頻模塊上實現 17,000 Mbps 之外,它還能夠在 JEDEC 模塊上以大約 12,800 Mbps 的速度運行——這是 DDR4 的四倍。
至于每個模塊的內存通道數量,DDR6 也將增加一倍,將 4 個 16 位通道連接到 64 個內存條。
GDDR(圖形雙倍數據速率)專門與顯卡兼容,是 GPU 的組成部分。不要將它與涵蓋系統內存的 DDR RAM 混淆。
在其他地方,三星計劃在 GDDR7 不可避免的推出之前推出 GDDR6+ 標準。據報道,它將達到高達 24Gbps 的速度,因此允許未來的 256 位 GPU 具有高達 768GB/s 的帶寬。此外,據說具有 320/352/384 位總線布局的 GPU 可實現超過 1TB/s 的帶寬。
超越 GDDR6 的細化,GDDR7 有望達到高達 32Gbps 的傳輸速度。據說三星還將實時錯誤保護功能納入標準。正如 Wccftech 指出的那樣,GDDR7 內存將能夠通過 384 位總線接口提供 1.5TB/s 的速度,通過 512 位系統提供高達 2TB/s 的速度。
GDDR7 標準何時最終確定尚無時間表,因此消費者必須同時接受 GDDR6+。
三星觸及的另一個下一代內存標準是 HBM3。第三代高帶寬內存將在 2022 年第二季度進入量產階段。該公司提到 HBM3 的速度為 800Gbps,這將為未來需要如此高內存性能水平的 CPU 和 GPU 提供動力。三星還強調了該技術對人工智能應用的適用性。
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