性能 50 倍于 7nm 芯片：美國復活 90nm 工藝
芯研所 7 月 14 日消息，美國晶圓廠 SkyWater 日前宣布獲得美國國防部下屬的 DARPA 的進一步資助，后者將給予 2700 萬美元以推動開發 90nm 戰略抗輻射 ( RH90 ) FDSOI 技術平臺，總的投資計劃高達 1.7 億美元。
相比臺積電、三星、Intel 等半導體公司，SkyWater 不僅規模小，而且資歷也淺，2017 年成立，晶圓廠主要來源于賽普拉斯半導體公司的芯片制造部門，工藝并不先進，主要生產 130nm 及 90nm，部分先進芯片才到 65nm 級別。
芯研所采編
然而他們卻得到了美國 DARPA 的青睞，成立沒多久就開始參與后者的 ERI 電子復興計劃，該計劃在 5 年內投資 15 億美元，推動美國半導體行業發展。ERI 計劃中，SkyWater 并沒有追求技術更強但更昂貴的先進工藝，而是用 90nm 工藝制造 3D SoC 芯片，通過集成電阻 RAM、碳納米管等材料實現更強的性能，性能可達 7nm 芯片的 50 倍。
這些技術現在還沒有實現完全突破，畢竟這樣的做法是之前沒有的，一旦成功了，可能是改變半導體行業規則的新技術。
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