三星 3nm 芯片工藝良率已達 60% 超過臺積電

據 Hi Investment & Securities 機構近日發布的報告，Samsung Foundry 在 3nm 工藝上的良率達到了 60%，高于臺積電（55%）。gDH電腦_數碼_手機應用問題解決的IT技術網站 - 云狐網

報道指出，三星一直致力于發展 3nm 工藝，并不斷提升生產工藝和良率。目前，三星的良率已經達到了 60%，該媒體認為在超先進芯片制造技術方面，三星有望超過臺積電。gDH電腦_數碼_手機應用問題解決的IT技術網站 - 云狐網

報告中也指出三星目前在 4nm 工藝方面良率為 75%，和臺積電（80%）存在差距，不過通過發力 3nm，三星有望在未來超過臺積電。gDH電腦_數碼_手機應用問題解決的IT技術網站 - 云狐網

報告中還指出由于臺積電的大部分訂單都被蘋果預訂，英偉達、高通等公司都對三星的第二代 3nm（SF3）工藝感興趣。gDH電腦_數碼_手機應用問題解決的IT技術網站 - 云狐網

據此前報道，Samsung Foundry 在 SFF 2023 上公布了最新工藝技術路線圖，計劃在 2025 年推出 2 納米級的 SF2 工藝，2027 年推出 1.4 納米級的 SF1.4 工藝。同時，三星還公布了 SF2 工藝的一些特性。gDH電腦_數碼_手機應用問題解決的IT技術網站 - 云狐網

三星與臺積電的競爭日益激烈，目前三星 3nm 芯片工藝良率超過臺積電，但 4nm 方面還存在差距，你認為未來三星總體上超越臺積電的可能性有多少呢？gDH電腦_數碼_手機應用問題解決的IT技術網站 - 云狐網