發熱解決了,三星第二代 3nm 工藝能效提升 34%,性能提升 22%
5 月 10 日消息,三星電子披露了第二代 3 納米工藝的技術水平,與目前的 4 納米(SF4)工藝相比,新的 3 納米工藝將芯片性能提高了 20% 以上。
報道稱,在 2023 年國際超大規模集成電路研討會上,三星提供的介紹資料顯示,第二代 3 納米工藝的芯片比目前 4 納米工藝的芯片速度快 22%,功率效率高 34%。此外,與前一代相比,芯片尺寸將減少 21%。
據了解,三星第一代 3 奈米工藝去年 6 月首次投產,第二代 3 納米工藝將于明年投產,三星曾聲稱,與 5 納米工藝的芯片相比,第一代 3 納米芯片性能提高了 23%,芯片尺寸縮小了 16%。
臺積電最近也公布了類似數據,其第二代 3 納米工藝與 5 納米(N5)工藝芯片相比,芯片性能提高了 18%,芯片功耗降低了 32%。臺積電的 N5 工藝一般被認為在技術上與三星的 SF4 工藝相似或接近。
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